Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ6E080AJTCR

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ6E080AJTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance19.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 18A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.