Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ6E040XNTCR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4 A
Power dissipation
1.25 W
Корпус
TSMT6
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ6E040XNTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current4 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 4A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.