ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ6E035ATTCR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -3.5 A
Pulsed drain current: -12 A
Power dissipation: 1.25 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RQ6E035ATTCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-3.5 A
Pulsed drain current	-12 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	TSMT6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	70 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -12A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.