ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ5L015SPTL

TSMT3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -1.5 A
Pulsed drain current: -6 A
Power dissipation: 1 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RQ5L015SPTL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-1.5 A
Pulsed drain current	-6 A
Power dissipation	1 W
Корпус	TSMT3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.36 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.