Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ5H025TNTL

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
45 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ5H025TNTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage45 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current10 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.175 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.