ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ5E050ATTCL

TSMT3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -5 A
Pulsed drain current: -18 A
Power dissipation: 1 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RQ5E050ATTCL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-5 A
Pulsed drain current	-18 A
Power dissipation	1 W
Корпус	TSMT3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	37 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	19.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -18A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.