Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ5E030RPTL

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-3 A
Pulsed drain current
-12 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ5E030RPTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-3 A
Pulsed drain current-12 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.