Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ5E025TNTL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ5E025TNTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.133 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.