ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RQ5E025SPTL
TSMT3Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -2.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 1 W
- Корпус
- TSMT3
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 564 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%47,34 ₽
Сумма · с НДС 22%13 586,58 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 287 | 47,34 ₽ | |
| от 300 | 37,01 ₽ | |
| от 500 | 34,94 ₽ | |
| от 1000 | 33,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RQ5E025SPTL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -2.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Корпус | TSMT3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 98 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -30V; -2.5A; 1W; TSMT3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.