ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RQ5E025ATTCL
TSMT3Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -2.5 A
- Power dissipation
- 1 W
- Корпус
- TSMT3
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 4 437 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%34,19 ₽
Сумма · с НДС 22%8 684,26 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 254 | 34,19 ₽ | |
| от 300 | 26,02 ₽ | |
| от 500 | 23,93 ₽ | |
| от 1000 | 22,60 ₽ | |
| от 4000 | 21,46 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RQ5E025ATTCL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -2.5 A |
| Power dissipation | 1 W |
| Корпус | TSMT3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 91 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -30V; -2.5A; 1W; TSMT3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.