Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3L090GNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
30A
Pulsed drain current
36A
Power dissipation
20W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ3L090GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current30A
Pulsed drain current36A
Power dissipation20W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 36A; 20W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.