Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3G270BJFRATCB

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-27 A
Рассеиваемая мощность
69 W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 405 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%156,70 ₽

Сумма · с НДС 22%14 573,10 ₽

От 93 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 93156,70 ₽
от 100140,20 ₽
от 300130,27 ₽
от 500127,64 ₽
от 1000113,59 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ3G270BJFRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-27 A
Рассеиваемая мощность69 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -27A; 69W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.