Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3G150GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ3G150GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current39 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation20 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.