Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3G100GNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
27 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ3G100GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current27 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation15 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 40A; 15W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.