Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E180GNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
72 A
Power dissipation
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E180GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current39 A
Pulsed drain current72 A
Power dissipation20 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.