Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E160ADTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
64 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ3E160ADTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current16 A
Pulsed drain current64 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 64A; 2W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.