Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E120BNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
12 A
Power dissipation
2 W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 780 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%59,11 ₽

Сумма · с НДС 22%13 181,53 ₽

От 223 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22359,11 ₽
от 30049,38 ₽
от 50047,29 ₽
от 100045,95 ₽
от 400044,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E120BNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current12 A
Power dissipation2 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 12A; 2W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.