Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-39 A
Pulsed drain current
-48 A
Power dissipation
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 938 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%235,04 ₽

Сумма · с НДС 22%235,04 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1235,04 ₽
от 10109,81 ₽
от 10090,74 ₽
от 50085,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E120ATTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-39 A
Pulsed drain current-48 A
Power dissipation20 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.