Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E100GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Power dissipation
15 W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
11.7 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 245 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%45,97 ₽

Сумма · с НДС 22%13 101,45 ₽

От 285 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 28545,97 ₽
от 30036,28 ₽
от 50034,19 ₽
от 100032,86 ₽
от 400031,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E100GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Power dissipation15 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 15W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.