Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E080BNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E080BNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current5 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation14 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; 14W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.