Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E070BNTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Power dissipation
13 W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
27 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 408 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%59,49 ₽

Сумма · с НДС 22%13 206,78 ₽

От 222 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22259,49 ₽
от 30049,57 ₽
от 50047,67 ₽
от 100046,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ3E070BNTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Power dissipation13 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 13W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.