Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ3E070BNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
15 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
13 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ3E070BNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current15 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation13 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 28A; 13W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.