Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ1E075XNTCR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
7.5A
Pulsed drain current
30A
Power dissipation
1.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ1E075XNTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current7.5A
Pulsed drain current30A
Power dissipation1.5W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance27mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.