Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ1E070RPHZGTR

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-7 A
Корпус
TSMT8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
17 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 988 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%110,03 ₽

Сумма · с НДС 22%14 633,99 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 133110,03 ₽
от 30099,15 ₽
от 50096,53 ₽
от 100085,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ1E070RPHZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Drain current-7 A
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -7A; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.