Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ1C075UNTR

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
7.5 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ1C075UNTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current7.5 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.