ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RQ1A070ZPHZGTR
TSMT8Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -12 V
- Drain current
- -7 A
- Корпус
- TSMT8
- Gate-source voltage
- ±10 V
- On-state resistance
- 12 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 477 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%109,60 ₽
Сумма · с НДС 22%14 467,20 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 132 | 109,60 ₽ | |
| от 300 | 98,81 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RQ1A070ZPHZGTR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -12 V |
| Drain current | -7 A |
| Корпус | TSMT8 |
| Gate-source voltage | ±10 V |
| On-state resistance | 12 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -12V; -7A; TSMT8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.