Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ1A070ZPFRATR

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-7 A
Pulsed drain current
-28 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ1A070ZPFRATR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-7 A
Pulsed drain current-28 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.