Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RK7002BMHZGT116

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.25 A
Pulsed drain current
1 A
Рассеиваемая мощность
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRK7002BMHZGT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.25 A
Pulsed drain current1 A
Рассеиваемая мощность0.35 W
КорпусSST3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3

Документация

Документы пока не предоставлены.