Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJP020N06T100

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 640 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%303,22 ₽

Сумма · с НДС 22%303,22 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1303,22 ₽
от 10193,84 ₽
от 100132,12 ₽
от 500104,68 ₽
от 100092,77 ₽
от 200083,20 ₽
от 300078,33 ₽
от 500072,56 ₽
от 700068,95 ₽
от 1000065,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJP020N06T100
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусMPT3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3

Документация

Документы пока не предоставлены.