Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJP020N06FRAT100

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRJP020N06FRAT100
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусMPT3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3

Документация

Документы пока не предоставлены.