ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ2P14BBHTRDC

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 290W
Корпус: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RJ2P14BBHTRDC
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	100V
Power dissipation	290W
Корпус	TOLL
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	105nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 290W; TOLL

Документация

Документы пока не предоставлены.