Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1P10BBHTL1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Power dissipation
189 W
Корпус
TO263AB
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
3 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 32 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%868,07 ₽

Сумма · с НДС 22%14 757,19 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17868,07 ₽
от 30757,90 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJ1P10BBHTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Power dissipation189 W
КорпусTO263AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 189W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.