Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1P04BBHTL1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Power dissipation
89 W
Корпус
TO263AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%379,54 ₽

Сумма · с НДС 22%15 181,60 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40379,54 ₽
от 50356,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJ1P04BBHTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Power dissipation89 W
КорпусTO263AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 89W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.