Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1L10BBGTL1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Рассеиваемая мощность
192 W
Корпус
TO263AB
On-state resistance
1.85 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 29 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%871,58 ₽

Сумма · с НДС 22%15 688,44 ₽

От 18 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18871,58 ₽
от 90781,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJ1L10BBGTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Рассеиваемая мощность192 W
КорпусTO263AB
On-state resistance1.85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge160nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 192W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.