Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1G12BGNTLL

RJ1G12BGNTLL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
240 A
Power dissipation
178 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRJ1G12BGNTLL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Pulsed drain current240 A
Power dissipation178 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.08 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge165nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.