Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1G10BBGTL1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
280 A
Рассеиваемая мощность
192 W
Корпус
TO263AB
On-state resistance
1.43 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%834,04 ₽

Сумма · с НДС 22%15 012,72 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18834,04 ₽
от 30725,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJ1G10BBGTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current280 A
Рассеиваемая мощность192 W
КорпусTO263AB
On-state resistance1.43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.21µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 280A; 192W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.