ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RJ1G08CGNTLL
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 80 A
- Рассеиваемая мощность
- 78 W
- On-state resistance
- 5.6 mΩ
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 877 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%206,18 ₽
Сумма · с НДС 22%14 638,78 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 71 | 206,18 ₽ | |
| от 100 | 191,19 ₽ | |
| от 300 | 179,94 ₽ | |
| от 500 | 159,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RJ1G08CGNTLL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 80 A |
| Рассеиваемая мощность | 78 W |
| On-state resistance | 5.6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 31.1nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 40V; 80A; 78W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.