Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RJ1G04BBGTL1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
130 A
Рассеиваемая мощность
89 W
Корпус
TO263AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 70 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%339,36 ₽

Сумма · с НДС 22%14 592,48 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 43339,36 ₽
от 50318,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRJ1G04BBGTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current130 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусTO263AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 130A; 89W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.