Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RHU002N06FRAT106

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRHU002N06FRAT106
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.2 W
КорпусUMT3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.