ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RHP020N06T100

MPT3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 2 A
Pulsed drain current: 8 A
Power dissipation: 2 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RHP020N06T100
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	2 A
Pulsed drain current	8 A
Power dissipation	2 W
Корпус	MPT3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.34 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3

Документация

Документы пока не предоставлены.