Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RH7P04BBKFRATCB

RH7P04BBKFRATCB
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
40 A
Power dissipation
75 W
Корпус
DFN8
Gate-source voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%217,70 ₽

Сумма · с НДС 22%15 239,00 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 70217,70 ₽
от 100198,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRH7P04BBKFRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current40 A
Power dissipation75 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 40A; 75W; DFN8; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.