Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RH7L04BBJFRATCB

RH7L04BBJFRATCB
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-40A
Power dissipation
75W
Корпус
DFN8
Gate-source voltage
-20...5V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRH7L04BBJFRATCB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-60V
Drain current-40A
Power dissipation75W
КорпусDFN8
Gate-source voltage-20...5V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -60V; -40A; 75W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.