Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RH6N040BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
80V
Drain current
65A
Power dissipation
59W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRH6N040BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage80V
Drain current65A
Power dissipation59W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 80V; 65A; 59W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.