ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RH6L040CHTB1
HSMT8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 85 A
- Корпус
- HSMT8
- Gate-source voltage
- ±20 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%177,24 ₽
Сумма · с НДС 22%15 065,40 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 85 | 177,24 ₽ | |
| от 100 | 159,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RH6L040CHTB1 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 85 A |
| Корпус | HSMT8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 17.6nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 60V; 85A; HSMT8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.