Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RH6G040CHTB1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
135 A
Рассеиваемая мощность
93 W
Корпус
HSMT8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%164,94 ₽

Сумма · с НДС 22%14 514,72 ₽

От 88 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 88164,94 ₽
от 100149,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRH6G040CHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current135 A
Рассеиваемая мощность93 W
КорпусHSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 135A; 93W; HSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.