ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RGWX5TS65GC13
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- Field Stop, Trench
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 132 A
- Рассеиваемая мощность
- 348 W
- Монтаж
- THT — в отверстия
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%892,20 ₽
Сумма · с НДС 22%15 167,40 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 17 | 892,20 ₽ | |
| от 30 | 781,61 ₽ | |
| от 50 | 762,87 ₽ | |
| от 100 | 746,00 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RGWX5TS65GC13 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | Field Stop, Trench |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 132 A |
| Рассеиваемая мощность | 348 W |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 213nC |
| Turn-on time | 64ns |
| Turn-off switching energy | 1.68mJ |
| Turn-on switching energy | 2.39mJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.