Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGWX5TS65GC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
132 A
Power dissipation
348 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 460 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%822,65 ₽

Сумма · с НДС 22%15 630,35 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19822,65 ₽
от 30712,83 ₽
от 50689,71 ₽
от 100674,30 ₽
от 200599,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGWX5TS65GC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current132 A
Power dissipation348 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge213nC
Turn-on time64ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.