Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGWS60TS65GC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
51 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%507,96 ₽

Сумма · с НДС 22%14 730,84 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 29507,96 ₽
от 30399,24 ₽
от 50378,62 ₽
от 100359,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGWS60TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current51 A
Рассеиваемая мощность156 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Turn-on time32ns
Turn-off switching energy0.45mJ
Turn-on switching energy0.5mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 51A; 156W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.