Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGWS60TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
51 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 109 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%571,68 ₽

Сумма · с НДС 22%14 863,68 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 26571,68 ₽
от 30462,97 ₽
от 50440,48 ₽
от 100423,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGWS60TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current51 A
Рассеиваемая мощность156 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Turn-on time32ns
Turn-off switching energy0.45mJ
Turn-on switching energy0.5mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 51A; 156W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.