Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGWS00TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
88 A
Рассеиваемая мощность
245 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 110 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%652,62 ₽

Сумма · с НДС 22%15 010,26 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 23652,62 ₽
от 30546,34 ₽
от 50523,96 ₽
от 100507,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGWS00TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current88 A
Рассеиваемая мощность245 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge108nC
Turn-on time46ns
Turn-off switching energy0.91mJ
Turn-on switching energy0.98mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 245W; TO247-3; Eoff: 0.91mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.